参数特征
①型号： KX240(1100)MCZ ；
②炉室内径：φ1100mm；
③副室内径：φ400mm
④副室高度：3000mm-4000mm可定制；
⑤喉口直径：φ400mm ；
⑥籽晶提升速度：0~508mm/hr or ± 0.25 mm/hr，两者取其大；
⑦籽晶提升快速（标称）：400mm/min
⑧籽晶转速及精确值:0~30 RPM±1%S.P, or ±0.05RPM，两者取其大；
⑨坩埚提升速度及精确值：0-127 mm/hr ± 1% S.P, or ± 0.25 mm/hr，两者取其大；
⑩坩埚提升快速（标称）：127mm/min
⑪坩埚转速及精确值：0-20 RPM ± 1% S.P , or± 0.03 RPM ，两者取其大；
⑫电源类型：IGBT，可选配带谐波治理功能；
⑬过滤罐：可选自清洁型、两个并联安装等配置；
⑭主泵：干式真空泵（可变频），副泵：油泵/一拖多干式真空泵重掺砷等
⑮可拉晶体直径：最大12英寸；
⑯可拉晶体类型：N型/P型；
⑰可装热场尺寸：24英寸；
装料量：220kg 。
优点利处
① 应用领域：锗单晶；
② 腔体材质：内层：进口316L不锈钢，外层： 304L不锈钢；
③ 腔室洁净度：镜面精密抛光，适宜各重掺和轻掺的硅单晶生长；
④ 整机优异的刚性性能；
⑤ 运动部件引起的振动、冷却水湍流等方面的隔振技术；
⑥ 保护气体进气：1）水冷套内外各一路，2）副炉室顶部一路；
⑦ 应用高精度气体质量流量计+ 进口真空计 + 高精度蝶阀，气体质量流量计 ：流量精度：± 0.2% F.S；控压精度： ± 0.5%；
⑧ 并联双罐在线自动切换，气体吹扫在线清理系统；
⑨ 进口称重传感器：精度在+/- 0.5kg 公斤以内；
⑩ 增加相机测温和调温功能(视觉直径测量、液位测量和温度测量)；
⑪ 液面与导流筒的相对位置动态数据全程采集、记录；
⑫ 报警和安全保护：液面异常下降、抽空口温度异常、炉内压力异常、冷却水超温、功率故障等；
⑬ 在出现拉晶断棱回熔以及硅料复投等非正常拉晶工艺时，都可从系统中选择相应的自动工序来运行；
⑭ 恒拉速等径控制；
⑮ 引颈自动预热、熔接和调温；
⑯ 有自己的整机验证、热场和长晶工艺技术验证，有基础的热场和长晶工艺；
⑰ CCz系统、及长晶工艺和控制技术，行业内领先；
⑱ 应用CCz技术，为某晶片厂商代工，指标优异；
⑲ 固体连续掺杂：红磷；
⑳ 晶体电阻率：Min：1mΩ*cm；（行业内一般为Min：2mΩ*cm）。
交付周期
① 主设备预付款到账后 90天 （辅助设备、重要辅材类视市场情况而定）
